indexex press
krpress.ru 19 Августа 2019




Самсунг создала SSD обновленного поколения с высокой скоростью

09 Августа 2019, 02:06 | Васильева Яна Дмитриевна

Samsung выпустила шестое поколение флэш-памяти 3D V-NAND со 136 слоями

Samsung Electronics выпускает первый твердотельный накопитель, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями

Самсунг также заявляет, что дизайн этой новоиспеченной памяти V-NAND обеспечивает улучшенное сохранение данных, а еще обеспечивает скорость чтения всего 450 микросекунд, а еще скорость записи, которая может приближаться к 45 микросекундам.

Самсунг уверяет, что ее V-NAND модули шестого поколения отличаются самой высокой в ветви скоростью передачи данных, демонстрируя производственное преимущество компании, которое выводит 3D-память на новый уровень.

В SSD обновленного поколения южнокорейский технологический гигант использует неповторимую технологию «сквозного травления кристаллов», которая добавляет на 40% больше ячеек к прошлой однослойной структуре. Это достигается путем формирования электропроводящей 136-слойной структуры, с следующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху вниз, в итоге чего образуются однородные трехмерные ячейки с технологией ловушки снаряда (charge trap flash, CTF). Скорость передачи данных сейчас составляет «ниже 450 микросекунд (мкс) для операций записи и ниже 45 мкс для операций чтения», что в сравнении с предшествующим поколением, более чем на 10% скорее, при всем этом потребляет на 15% менее энергии. В сравнении с предшествующим поколением достигнуто повышение производительности не менее чем на 10% при одновременном уменьшении энергопотребления не менее чем на 15%.

С новым 136-слойным дизайном V-NAND, корейский гигант предлагает на 40% больше ячеек, чем в 96-слойной памяти 5-ого поколения. Сообщается о массовом производстве 256-гигабитных (32 ГБ) чипов. Это позволило уменьшить размер чипов и сократить число этапов производства, подняв эффективность изготовления на 20% и тем самым снизить индустриальные затраты. «Благодаря уменьшению цикла разработки продуктов V-NAND следующего поколения мы планируем активно расширять рынок наших высокоскоростных и высокопроизводительных решений на базе 512-гигабитных V-NAND».

В планы Самсунг, после выпуска 250-гигабайтных SSD, входит вывод на рынок 512-гигабитных трехбитных V-NAND SSD и eUFS во втором полугодии.

Южнокорейская Самсунг Electronics также скорректирует своё производство в краткосрочной перспективе в ответ на разворачивающуюся торговую войну между Японией и Южной Кореей.

Похожие публикации